Abrasifs en carbure de silicium vert de haute pureté, matières premières en carbure de silicium à gros cristaux, pour garantir d’excellentes performances de coupe et un état physique stable de la micropoudre de coupe en carbure de silicium.
| ANALYSE CHIMIQUE TYPIQUE | |
| SiC | ≥99,05% |
| SiO2 | ≤0,20% |
| F,Si | ≤0,03% |
| Fe2O3 | ≤0,10% |
| FC | ≤0,04% |
| PROPRIÉTÉS PHYSIQUES TYPIQUES | |
| Dureté: | Mohs : 9,5 |
| Point de fusion: | Sublimes at 2600 ℃ |
| Température maximale de service : | 1900℃ |
| Densité relative : | 3,20-3,25 g/cm³ |
| Masse volumique apparente (LPD) : | 1,2-1,6 g/cm3 |
| Couleur: | Vert |
| Forme des particules : | Hexagonal |
| Tailles : | |
| Micropoudre : JIS : 240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000# 8000# 10000# ALIMENTATION : F230 F240 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000 | |
1. Excellentes performances de polissage
- La dureté élevée et la forme nette du grain permettent d’obtenir une finition de surface supérieure sur les plaquettes de silicium.
- Élimine efficacement les défauts de surface, les rayures et les couches irrégulières.
2. Haute efficacité de coupe
- Capacité de broyage élevée, ce qui améliore considérablement la vitesse de polissage et l’efficacité de la production.
- Performances d’abrasion stables et faible consommation.
3. Taille uniforme des particules
- La distribution granulométrique étroite garantit un polissage uniforme sur toutes les plaquettes.
- Évitez le surpolissage et les dommages superficiels localisés.
4. Bonne stabilité chimique
- Résistant aux hautes températures et à la corrosion chimique dans les boues de polissage.
- Faible réaction chimique avec les substrats en silicium, aucune contamination.
5. Faibles dommages superficiels
- Les grains fins et réguliers causent des dommages minimes en subsurface aux plaquettes de silicium.
- Idéal pour le polissage de précision des plaquettes de silicium de qualité semi-conductrice.
6. Rentable
- Longue durée de vie et qualité stable, réduisant ainsi le coût global de production.